SI7619DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7619DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI7619DN-T1-GE3
Price: 9.52 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SI7619DN-T1-GE3

制造商编号：

SI7619DN-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

数据表:

SI7619DN-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	24 A
Rds On-漏源导通电阻:	21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	32 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	27.8 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	23 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	45 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	1 g

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数据表

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si76系列MOSFET

Vishay Semiconductors Si76系列MOSFET是用于DC/DC转换器和OR电路中低侧开关的TrenchFET^®功率MOSFET。P沟道和N沟道MOSFET均经过100%的雪崩和R_g测试。Vishay Si76系列MOSFET提供多种封装和电压范围，以满足用户的不同需求。

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具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

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库存量: 15,358

库存：: 15,358 可立即发货

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生产周期：: 19 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥10.7576	¥10.76
	¥5.0059	¥50.06
	¥4.4409	¥444.09
	¥3.4465	¥1,723.25
	¥3.2996	¥3,299.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.7233	¥8,169.90
	¥2.6555	¥15,933.00
	¥2.486	¥22,374.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7619DN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

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