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SI7655ADN-T1-GE3

Name: Vishay SI7655ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI7655ADN-T1-GE3
Price: 11.64 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SI7655ADN-T1-GE3

制造商编号：

SI7655ADN-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

数据表:

SI7655ADN-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	20 V
Id-连续漏极电流:	40 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	500 mV
Qg-栅极电荷:	150 nC
最小工作温度:	- 50 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	57 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	25 ns
正向跨导 - 最小值:	90 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	10 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	110 ns
典型接通延迟时间:	13 ns
单位重量:	1 g

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REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

工业电源解决方案

Vishay提供业界最广泛的半导体和无源元件产品组合，适用于工业电源应用。Vishay工业电源用产品组合包括功率MOSFET、功率IC、整流器、二极管、电容器、电阻器和电感器。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

Si76系列MOSFET

Vishay Semiconductors Si76系列MOSFET是用于DC/DC转换器和OR电路中低侧开关的TrenchFET^®功率MOSFET。P沟道和N沟道MOSFET均经过100%的雪崩和R_g测试。Vishay Si76系列MOSFET提供多种封装和电压范围，以满足用户的不同需求。

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SiEH4800EW 80 V TrenchFET®第四代N沟道MOSFET

采用PowerPAK^® 8mmx8mm BWL封装，导通电阻为0.00115Ω。

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SiJK140E N 沟道 40 V (D-S) MOSFET

采用TrenchFET^® 第五代功率技术，非常适用于同步整流和自动化。

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采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

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库存量: 7,453

库存：: 7,453 可立即发货

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生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 6000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥13.1532	¥13.15
	¥6.215	¥62.15
	¥5.537	¥553.70
	¥4.3392	¥2,169.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.4578	¥10,373.40

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7655ADN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S

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