SI8819EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8819EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8819EDB-T2-E1
Price: 7.84 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SI8819EDB-T2-E1

制造商编号：

SI8819EDB-T2-E1

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -12V Vds 8V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

数据表:

SI8819EDB-T2-E1 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	MicroFoot-4
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	2.9 A
Rds On-漏源导通电阻:	80 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	900 mV
Qg-栅极电荷:	7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	900 mW
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay Semiconductors
产品类型:	MOSFETs
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	45.104 mg

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数据表

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 美国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

MicroFoot® Power MOSFETs

Vishay Siliconix MicroFoot® Power MOSFETs offer low on-resistance (R_DS(on)) in ultra-small and ultra-thin packages. The devices' compact outlines save PCB space and provide ultrathin profiles to enable slimmer and lighter portable electronics. Low on-resistance translates into lower conduction losses for reduced power consumption and longer battery life between charges. The Vishay Siliconix MicroFoot Power MOSFETs low on-resistance also means a lower voltage drop across the load switch to prevent an unwanted under-voltage lockout.