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SI8821EDB-T2-E1

Name: Vishay SI8821EDB-T2-E1
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI8821EDB-T2-E1
Price: 4.9 RMB
Availability: OutOfStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SI8821EDB-T2-E1

制造商编号：

SI8821EDB-T2-E1

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -30V Vds 12V Vgs MICRO FOOT 0.8 x 0.8

数据表:

SI8821EDB-T2-E1 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	MicroFoot-4
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	2.3 A
Rds On-漏源导通电阻:	105 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.3 V
Qg-栅极电荷:	17 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	900 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	4.8 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	20 ns
系列:	SI8
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
单位重量:	120 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

SI8821EDB-T2-E1 数据表

Models

PCN

SI8821EDB-T2-E1 Data Sheet Update (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541210000
TARIC:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.