SIA112LDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA112LDJ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIA112LDJ
Price: 8.56 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIA112LDJ

制造商编号：

SIA112LDJ-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

数据表:

SIA112LDJ-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-6
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	8.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	119 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	2.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	15 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	7 ns
正向跨导 - 最小值:	17 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	26 ns
系列:	SIA
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	15 ns

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数据表

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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库存量: 5,486

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生产周期：: 10 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥9.6728	¥9.67
	¥4.4748	¥44.75
	¥3.9663	¥396.63
	¥3.0736	¥1,536.80
	¥2.9945	¥2,994.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.3956	¥7,186.80
	¥2.3278	¥13,966.80
	¥2.147	¥19,323.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SIA112LDJ-T1-GE3

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说明： MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

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