SIA4371EDJ-T1-GE3

Name: Vishay SIA4371EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 781-SIA437EDJ-T1-GE3
Price: 5.42 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

781-SIA437EDJ-T1-GE3

制造商编号：

SIA4371EDJ-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET SC70 P-CH 30V 6.4A

数据表:

SIA4371EDJ-T1-GE3 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-70-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	6.4 A
Rds On-漏源导通电阻:	45 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1.5 V
Qg-栅极电荷:	10.6 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2.9 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	52 ns, 62 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns, 65 ns
系列:	SIA
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	47 ns, 52 ns
典型接通延迟时间:	7 ns, 28 ns

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.

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库存量: 22,487

库存：: 22,487 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于22487的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥6.1246	¥6.12
	¥2.7572	¥27.57
	¥2.4295	¥242.95
	¥1.8532	¥926.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.8419	¥5,525.70
	¥1.5933	¥9,559.80
	¥1.4125	¥12,712.50
	¥1.2317	¥29,560.80

SIA4371EDJ-T1-GE3

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说明： MOSFET SC70 P-CH 30V 6.4A

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