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SIB441EDK-T1-GE3

Name: Vishay SIB441EDK-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIB441EDK-T1-GE3
Price: 6.44 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIB441EDK-T1-GE3

制造商编号：

SIB441EDK-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

数据表:

SIB441EDK-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SC-75-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	9 A
Rds On-漏源导通电阻:	21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	900 mV
Qg-栅极电荷:	33 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	13 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET, PowerPAK
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	50 ns
正向跨导 - 最小值:	17 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	42 ns
系列:	SIB
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	22 ns
单位重量:	96 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

SIB441EDK-T1-GE3 数据表

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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采用PowerPAK® 10x12封装的超结MOSFET

具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

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库存量: 5,394

库存：: 5,394 可立即发货

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生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥7.2772	¥7.28
	¥3.2996	¥33.00
	¥2.9154	¥291.54
	¥2.2261	¥1,113.05
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.7176	¥5,152.80
	¥1.5029	¥13,526.10

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SIB441EDK-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-75

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