SIC632ACD-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIC632ACD-T1-GE3
SIC632ACD-T1-GE3

制造商：

说明：
栅极驱动器 50A, 3.3V DrMOS VRPower

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
PowerPak-31
1 Driver
1 Output
50 A
4.5 V
24 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
SIC
Reel
Cut Tape
商标: Vishay Semiconductors
工作电源电流: 525 uA
产品类型: Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: VRPower
单位重量: 3.425 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542399000
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8541210000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

DrMOS SiC6集成式功率级

Vishay Semiconductor DrMOS SiC6集成式功率级针对同步降压应用进行了优化，以实现大电流、高效率和大功率密度等性能。SiC6xx采用了Vishay特有的5mm x 5mm MLP封装，使稳压器设计可提供高达每相60A的连续电流。此系列内部功率MOSFET采用Vishay先进的第四代TrenchFET技术，大幅降低了开关和传导损耗。

VRPower DrMOS 集成功率级

威世半导体 VRPower DrMOS 集成功率级优化了 针对同步降压应用进行了优化，可实现大电流、高效率 和大功率密度等性能。SiC 系列功率级采用威世专有的 MLP 封装，使 稳压器能够输出持续的 每相电流。该系列内含一个先进的 MOSFET 栅极驱动器集成电路，实现了大电流驱动性能；带自适应停滞时间控制，拥有一个集成式肖特基二极管和零电流检测功能，提高了轻负载效率。
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光隔离式MOSFET驱动器

Vishay光隔离MOSFET驱动器提供驱动低压MOSFET栅极所需的电压。栅极电压由光伏电池产生，输出侧无需电源。这样即可在使用低压MOSFET时简化设计。单通道VOM1271T提供8.4V输出电压，输入正向电流仅为10mA。双通道VO1263AACTR提供14.5V输出电压。

库存量: 2,277

库存：
2,277 可立即发货
生产周期：
15 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥23.2441 ¥23.24
¥17.3681 ¥173.68
¥15.8765 ¥396.91
¥14.2267 ¥1,422.67
¥13.4809 ¥3,370.23
¥12.656 ¥12,656.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥12.0797 ¥36,239.10
¥11.8311 ¥70,986.60

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