SIC789ACD-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIC789ACD-T1-GE3
SIC789ACD-T1-GE3

制造商：

说明：
栅极驱动器 60A VRPwr Int Pw Stg DrMOS MLP66-40L

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: 栅极驱动器
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
PowerPak-40
2 Driver
2 Output
60 A
4.5 V
18 V
Non-Inverting
- 40 C
+ 125 C
SIC
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
最大关闭延迟时间: 18 ns
最大开启延迟时间: 10 ns
工作电源电流: 295 uA
输出电压: 3.3 V
产品类型: Gate Drivers
关闭: Shutdown
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
商标名: DrMOS VRPower
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8542319090
CAHTS:
8542390000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
854239099
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8542399901
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国台湾
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

VRPower DrMOS 集成功率级

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SiC7xx 集成式 DrMOS 功率级

威世硅尼克斯 SiC7xx 集成式 DrMOS 功率级 是一款集成式功率级解决方案，具有大电流、高效率和高功率密度的特点，适用于同步降压应用。该器件符合英特尔针对桌面和服务器 Vcore 功率级的 DrMOS 标准。内部功率 MOSFET 采用威世先进的 TrenchFET 第三代技术，大幅降低开关和传导损耗，具有业界基准水平的性能。它们内含一个具有大电流驱动能力的高级 MOSFET 栅极驱动 IC、自适应死区时间（dead-time）控制、一个集成式自举肖特基二极管、提醒系统结温过高的热警报（THDN）功能。
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光隔离式MOSFET驱动器

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供货情况

库存：
无库存
生产周期：
15 周 预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥28.1257 ¥28.13
¥21.1762 ¥211.76
¥19.436 ¥485.90
¥17.5376 ¥1,753.76
¥16.5432 ¥4,135.80
¥16.3737 ¥8,186.85
¥15.8765 ¥15,876.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥15.3906 ¥46,171.80
¥14.803 ¥88,818.00
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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