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RoHS

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SICSS-125U-2 MOSFET

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结果: 7

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封装 / 箱体

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Vds-漏源极击穿电压

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Vgs - 栅极-源极电压

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S SISS70DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ¥16.7918 5,726库存量	制造商零件编号 SISS70DN-T1-GE3 Mouser 零件编号 78-SISS70DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFET 125V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S 了解更多关于Vishay Semiconductors vishay siss7xdn trenchfet mosfets 的信息	数据表	5,726库存量	剪切带 ¥16.7918 ¥8.0682 ¥7.2207 ¥5.7291 ¥5.5822 卷轴 ¥4.7008 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerPAK1212-8	N-Channel	1 Channel	125 V	31 A	29.8 mOhms	20 V	2.5 V	15.3 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	TrenchFET, ThunderFET, PowerPAK	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK SISS50DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix 1: ¥14.8934 5,900库存量	制造商零件编号 SISS50DN-T1-GE3 Mouser 零件编号 78-SISS50DN-T1-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK 了解更多关于Vishay / Siliconix vishaytrenchFETGenIV 的信息	数据表	5,900库存量	剪切带 ¥14.8934 ¥7.0851 ¥6.1924 ¥5.0737 卷轴 ¥3.9211 查看 ¥3.7516 ¥3.6273 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212-8S	N-Channel	1 Channel	45 V	108 A	2.83 mOhms	- 16 V, 20 V	2.3 V	46.7 nC	- 55 C	+ 150 C	65.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET SISS73DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ¥19.2778 230库存量 34,423在途量	制造商零件编号 SISS73DN-T1-GE3 Mouser 零件编号 78-SISS73DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFET PWRPK 150V 16.2A P-CH MOSFET 了解更多关于Vishay Semiconductors vishaypchannelmosfet 的信息	数据表	230库存量 34,423在途量订单发货日期制造商编号： SISS73DN-T1-GE3 库存： 230 可立即发货在途量: 16,423 预期 2027/3/25 18,000 预期 2027/4/1 生产周期： 38 周	剪切带 ¥19.2778 ¥11.9102 ¥8.3507 ¥6.6218 卷轴 ¥5.424 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212-8	P-Channel	1 Channel	150 V	16.2 A	125 mOhms	20 V	2 V	14.6 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	PowerPAK	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S SISS63DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ¥15.3002 314库存量 111,000在途量	制造商零件编号 SISS63DN-T1-GE3 Mouser 零件编号 78-SISS63DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFET P-CHANNEL 20V PowerPAK 1212-8S 了解更多关于Vishay Semiconductors vishay pchannel power mosfets 的信息	数据表	314库存量 111,000在途量订单发货日期制造商编号： SISS63DN-T1-GE3 库存： 314 可立即发货在途量: 51,000 预期 2027/3/11 60,000 预期 2027/4/15 生产周期： 38 周	剪切带 ¥15.3002 ¥9.5937 ¥6.3167 ¥5.0172 ¥4.8364 卷轴 ¥4.068 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 6,000 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8S	P-Channel	1 Channel	20 V	127.5 A	2.7 mOhms	12 V	1.5 V	72.2 nC, 157.2 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET PPAK1212 P-CH 30V 29.4A SISS05DN-T1-GE3 Vishay Semiconductors 1: ¥18.8597 35,000预期 2027/3/11	制造商零件编号 SISS05DN-T1-GE3 Mouser 零件编号 78-SISS05DN-T1-GE3	Vishay Semiconductors	MOSFET PPAK1212 P-CH 30V 29.4A 了解更多关于Vishay Semiconductors vishaypchannelmosfet 的信息	数据表	35,000预期 2027/3/11	剪切带 ¥18.8597 ¥11.9893 ¥8.0456 ¥6.7913 ¥6.4975 卷轴 ¥5.4692 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 : 3,000			Si	SMD/SMT	PowerPAK-1212-8	P-Channel	1 Channel	30 V	108 A	5.8 mOhms	- 20 V, 16 V	2.2 V	76 nC	- 55 C	+ 150 C	65.7 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
	MOSFET N-CHANNEL 125-V (D-S) MOSFET SISS70DN-T1-UE3 Vishay Semiconductors 1: ¥15.4697 6,000预期 2027/9/15 新产品	制造商零件编号 SISS70DN-T1-UE3 Mouser 零件编号 78-SISS70DN-T1-UE3 新产品	Vishay Semiconductors	MOSFET N-CHANNEL 125-V (D-S) MOSFET	数据表	6,000预期 2027/9/15	¥15.4697 ¥8.6897 ¥6.4297 ¥5.0963 查看 ¥4.972 ¥4.1132 ¥4.0002	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8S	N-Channel	1 Channel	125 V	31 A	29.8 mOhms	20 V	4.5 V	10.2 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement
	MOSFET N-CHANNEL 125-V (D-S) MOSFET SISS70DN-T1-BE3 Vishay Semiconductors 1: ¥15.7974 6,000预期 2027/9/15 新产品	制造商零件编号 SISS70DN-T1-BE3 Mouser 零件编号 78-SISS70DN-T1-BE3 新产品	Vishay Semiconductors	MOSFET N-CHANNEL 125-V (D-S) MOSFET	数据表	6,000预期 2027/9/15	¥15.7974 ¥9.8423 ¥6.5314 ¥5.1754 查看 ¥4.5991 ¥4.2036	最低： 1 倍数： 1			Si	SMD/SMT	PowerPAK 1212-8S	N-Channel	1 Channel	125 V	31 A	29.8 mOhms	20 V	4.5 V	10.2 nC	- 55 C	+ 150 C	65.8 W	Enhancement