SIHP12N6 MOSFET

结果: 7
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 封装
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
2,650库存量
¥31.0976
¥20.2609
¥14.2267
¥11.9102
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay MOSFET TO220 600V 12A N-CH MOSFET
3,894库存量
¥30.1032
¥15.142
¥13.3227
¥11.1644
¥10.3395
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
76库存量
¥31.0976
¥20.2609
¥14.2267
¥11.9102
¥11.0853
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 380 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 147 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB 539库存量
¥28.5325
¥18.6111
¥12.9046
¥10.7576
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 380 mOhms 30 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Bulk
Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK 422库存量
剪切带
¥28.702
¥14.3962
¥12.4074
¥10.5881
卷轴
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 380 mOhms 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 33 W Enhancement Reel, Cut Tape
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 12A N-CH MOSFET 无库存交货期 28 周
卷轴
¥10.4186
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
Si Reel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 8A N-CH MOSFET 无库存交货期 28 周
卷轴
¥17.6167
最低: 1,000
倍数: 1,000
: 1,000
Si Reel