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RoHS

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SIHP28N65EF MOSFET

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结果: 4

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封装 / 箱体

晶体管极性

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB SIHP28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: ¥77.8344 919库存量	制造商零件编号 SIHP28N65EF-GE3 Mouser 零件编号 78-SIHP28N65EF-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB 了解更多关于Vishay / Siliconix vishay ef power mosfet 的信息	数据表	919库存量	¥77.8344 ¥55.5847 ¥54.2626 ¥53.7654 ¥29.5269	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	28 A	117 mOhms	30 V	2 V	146 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	Tube
	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB SIHP28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: ¥59.9691 911库存量	制造商零件编号 SIHP28N60EF-GE3 Mouser 零件编号 78-SIHP28N60EF-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB 了解更多关于Vishay / Siliconix vishay ef power mosfet 的信息	数据表	911库存量	¥59.9691 ¥32.092 ¥29.3687 ¥26.3855	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3													Tube
	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC SIHG28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: ¥74.7721 425库存量	制造商零件编号 SIHG28N65EF-GE3 Mouser 零件编号 78-SIHG28N65EF-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC 了解更多关于Vishay / Siliconix vishay ef power mosfet 的信息	数据表	425库存量	¥74.7721 ¥47.6408 ¥37.5499 ¥31.6852 ¥29.5269	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	650 V	28 A	117 mOhms	30 V	2 V	146 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	Tube
	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC SIHG28N60EF-GE3 Vishay / Siliconix 1: ¥63.6077 490库存量	制造商零件编号 SIHG28N60EF-GE3 Mouser 零件编号 78-SIHG28N60EF-GE3	Vishay / Siliconix	MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC 了解更多关于Vishay / Siliconix vishay ef power mosfet 的信息	数据表	490库存量	剪切带 ¥63.6077 ¥34.239 ¥31.4366 卷轴 ¥28.5325	最低： 1 倍数： 1 : 500			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	28 A	123 mOhms	30 V	2 V	120 nC	- 55 C	+ 150 C	250 W	Enhancement	Reel, Cut Tape