.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SIR510DP MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 3

已应用过滤器:

技术

安装风格

封装 / 箱体

晶体管极性

通道数量

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

Vgs - 栅极-源极电压

Vgs th-栅源极阈值电压

Qg-栅极电荷

最小工作温度

最大工作温度

Pd-功率耗散

通道模式

商标名

封装

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
MOSFET Vishay SiR510DP SiR510DP Vishay	制造商零件编号 SiR510DP Mouser 零件编号未分配	Vishay	MOSFET	数据表	N/A		无库存，请致电询价	Si	SMD/SMT	SO-8	N-Channel	1 Channel	100 V		3.6 mOhms	20 V	4 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C
MOSFET SOT669 100V 126A N-CH MOSFET SIR510DP-T1-RE3 Vishay / Siliconix 1: ¥28.2839 15,046库存量	制造商零件编号 SIR510DP-T1-RE3 Mouser 零件编号 78-SIR510DP-T1-RE3	Vishay / Siliconix	MOSFET SOT669 100V 126A N-CH MOSFET 了解更多关于Vishay / Siliconix vishay siliconix trenchfet gen v mosfets 的信息	数据表	15,046库存量	剪切带 ¥28.2839 ¥14.1476 ¥12.8255 ¥10.3395 ¥10.2604 卷轴 ¥9.5146 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1 最大： 6,000 : 3,000	Si	SMD/SMT	PowerPAK-SO-8	N-Channel	1 Channel	100 V	126 A	3.6 mOhms	20 V	4 V	54 nC	- 55 C	+ 150 C	104 W	Enhancement	TrenchFET	Reel, Cut Tape, MouseReel
MOSFET POWERPK 100V N-CH MOSFET Vishay Semiconductors SIR510DP-T1-BE3 SIR510DP-T1-BE3 Vishay Semiconductors 受限供货情况新产品	制造商零件编号 SIR510DP-T1-BE3 Mouser 零件编号 78-SIR510DP-T1-BE3 新产品	Vishay Semiconductors	MOSFET POWERPK 100V N-CH MOSFET Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。				受限供货情况

SIR510DP MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持