SIRS5700DP MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Vishay MOSFET N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062 8,332库存量
剪切带
¥41.6857
¥21.5943
¥19.6055
¥17.1195
卷轴
¥16.046
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 144 A 5.6 mOhms 20 V 4 V 73 nC - 55 C + 150 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET 2,227库存量
剪切带
¥43.6745
¥28.6229
¥21.3457
¥18.2834
卷轴
¥15.4697
最低: 1
倍数: 1
最大: 6,000
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK-SO-8S N-Channel 1 Channel 150 V 119 A 7.2 mOhms 20 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape
Vishay MOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET 2,900库存量
¥31.5157
¥20.5095
¥14.3962
¥12.0797
最低: 1
倍数: 1
Si SMD/SMT SO-8SW N-Channel 1 Channel 150 V 93 A 8.6 mOhms 20 V 4 V 25.7 nC - 55 C 6.9 W
Vishay Semiconductors MOSFET SOT669 100V 120A N-CH MOSFET 4,432库存量
剪切带
¥41.7761
¥21.6734
¥19.6846
¥17.2099
卷轴
¥16.2946
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT PowerPAK SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 3.2 mOhms 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel