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SIS888DN-T1-GE3

Name: Vishay SIS888DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SIS888DN-T1-GE3
Price: 17.06 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SIS888DN-T1-GE3

制造商编号：

SIS888DN-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

数据表:

SIS888DN-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	150 V
Id-连续漏极电流:	20.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	58 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	14.5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	52 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	ThunderFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
产品类型:	MOSFETs
系列:	SIS
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
单位重量:	1 g

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数据表

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Models

PCN

Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是新一代TrenchFET^®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低R_DS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

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库存量: 4,579

库存：: 4,579 可立即发货

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生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

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最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥19.2778	¥19.28
	¥9.3451	¥93.45
	¥8.4411	¥844.11
	¥6.6783	¥3,339.15
	¥6.4636	¥6,463.60
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥5.7517	¥17,255.10
	¥5.6613	¥33,967.80
	¥5.5935	¥50,341.50

SIS888DN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S

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