SIZ250DT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
78-SIZ250DT-T1-GE3
SIZ250DT-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET DUAL N-CHANNEL 60-V PowerPAIR 3 x 3S

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PowerPAIR-3x3S-8
N-Channel
2 Channel
60 V
38 A
12.2 mOhms, 1.27 mOhms
20 V
1.1 V
13.5 nC, 13.4 nC
- 55 C
+ 150 C
33 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 7 ns, 12 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 60 ns, 50 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns, 24 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
单位重量: 143.050 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

PowerPAIR®双MOSFET

Vishay PowerPAIR®双MOSFET在单一紧凑型封装中集成了几款经过优化的MOSFET。这些采用单一封装的PowerPAIR双MOSFET占用更少的空间，并提供比单独的分立式器件更卓越的性能。通过在PowerPAIR封装内部连接两个MOSFET，可以简化布局，减少因PCB走线产生的寄生电感，从而提高效率。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低RDS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

库存量: 20,809

库存：
20,809 可立即发货
生产周期：
38 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥16.5432 ¥16.54
¥7.9326 ¥79.33
¥7.0964 ¥709.64
¥5.6161 ¥2,808.05
¥5.4692 ¥5,469.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥4.5878 ¥13,763.40
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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