SIZF360DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF360DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZF360DT-T1-GE3
Price: 19.32 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIZF360DT-T1-GE3

制造商编号：

SIZF360DT-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

SIZF360DT-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAIR-3x3FDC-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	83 A, 143 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.5 mOhms, 1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, - 12 V, 16 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V, 1.1 V
Qg-栅极电荷:	14.4 nC, 41 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	52 W, 78 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Dual
下降时间:	7 ns, 12 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	40 ns, 53 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	23 ns, 30 ns
典型接通延迟时间:	17 ns, 25 ns
单位重量:	143.050 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 以色列
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

特色产品

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库存量: 2,945

库存：: 2,945 可立即发货

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生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

数量大于2945的订购须受最低订购要求的限制。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥21.8316	¥21.83
	¥10.7576	¥107.58
	¥9.5937	¥959.37
	¥7.6953	¥3,847.65
	¥7.3789	¥7,378.90
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥6.7122	¥20,136.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SIZF360DT-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC

规格

文件 (3)

数据表

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环境文件

产品与贸易合规

特色产品 VISHAY

库存量: 2,945

定价 (含13% 增值税)

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制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 30-V W/SCHOTTKY PowerPAIR 3 x 3FDC

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VISHAY