SIZF4800LDT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF4800LDT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZF4800LDTT1GE3
Price: 18.3 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SIZF4800LDTT1GE3

制造商编号：

SIZF4800LDT-T1-GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET PPAIR3X3 2NCH 80V 10A

数据表:

SIZF4800LDT-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	36 A
Rds On-漏源导通电阻:	19 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2 V
Qg-栅极电荷:	15 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	56.8 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Dual
下降时间:	5 ns
正向跨导 - 最小值:	50 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	10 ns

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PCN

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是新一代TrenchFET^®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低R_DS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。