您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

SIZF640DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZF640DT-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SIZF640DT-T1-GE3
Price: 31.84 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SIZF640DT-T1-GE3

制造商编号：

SIZF640DT-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET PPAIR6X5 2NCH 40V 41A

数据表:

SIZF640DT-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解Vishay Semiconductors SIZF640DT-T1-GE3详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAIR 6 x 5FS-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	159 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.37 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 16 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.4 V
Qg-栅极电荷:	30 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	62.5 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Bulk
商标:	Vishay Semiconductors
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	175 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	115 ns
系列:	SiZF640DT
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	40 ns
典型接通延迟时间:	50 ns

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SIZF640DT-T1-GE3 数据表

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是新一代TrenchFET^®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低R_DS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。

PowerPAIR®双MOSFET

Vishay PowerPAIR^®双MOSFET在单一紧凑型封装中集成了几款经过优化的MOSFET。这些采用单一封装的PowerPAIR双MOSFET占用更少的空间，并提供比单独的分立式器件更卓越的性能。通过在PowerPAIR封装内部连接两个MOSFET，可以简化布局，减少因PCB走线产生的寄生电感，从而提高效率。