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SNXH100M65L4Q2F2 IGBT 模块

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	产品	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	在25 C的连续集电极电流	栅极—射极漏泄电流	Pd-功率耗散	封装 / 箱体	最大工作温度	安装风格	技术	封装
	IGBT 模块 11705 GEN-III 1100V Q2PACK SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1 onsemi 1: ¥912.7688 30库存量工厂特别订单	制造商零件编号 SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1 Mouser 零件编号 863-00M65L4Q2F2P2GN1 工厂特别订单	onsemi	IGBT 模块 11705 GEN-III 1100V Q2PACK	数据表	30库存量	¥912.7688	最低： 1 倍数： 1 最大： 4			IGBT Modules	Single	650 V	1.56 V	113 A	600 nA	226 W	Q2PACK	+ 175 C	Press Fit	SiC	Tray
	IGBT 模块 11708 GEN-IV 1100V Q2PACK (REVISED SNXH100M65L3Q2F2PG) SNXH100M65L4Q2F2P2G onsemi 1: ¥1,015.5084 19库存量寿命结束	制造商零件编号 SNXH100M65L4Q2F2P2G Mouser 零件编号 863-H100M65L4Q2F2P2G 寿命结束	onsemi	IGBT 模块 11708 GEN-IV 1100V Q2PACK (REVISED SNXH100M65L3Q2F2PG)	数据表	19库存量	¥1,015.5084 ¥844.7767 ¥770.4114	最低： 1 倍数： 1			IGBT Modules	Module	650 V	1.56 V	113 A	600 nA	226 W	Q2PACK	+ 175 C	Press Fit	Si	Tray

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