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RoHS

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SPA11N80C3 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA11N80C3 Infineon Technologies 1: ¥30.6004 715库存量 NRND	制造商零件编号 SPA11N80C3 Mouser 零件编号 726-SPA11N80C3 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	715库存量	¥30.6004 ¥19.9332 ¥13.9781 ¥11.6616 查看 ¥10.7576 ¥10.17	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	450 mOhms	20 V	2.1 V	64 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET LOW POWER_LEGACY SPA11N80C3XKSA2 Infineon Technologies 1: ¥29.7755 304库存量 NRND	制造商零件编号 SPA11N80C3XKSA2 Mouser 零件编号 726-SPA11N80C3XKSA2 NRND	Infineon Technologies	MOSFET LOW POWER_LEGACY	数据表	304库存量	¥29.7755 ¥14.9725 ¥13.56 ¥10.7576 查看 ¥10.509 ¥10.3395 ¥10.2604	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	1 A	450 mOhms	20 V	3 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement		Tube
	MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥29.7755 无库存交货期 15 周 NRND	制造商零件编号 SPA11N80C3XKSA1 Mouser 零件编号 726-SPA11N80C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	无库存交货期 15 周	¥29.7755 ¥14.9725 ¥13.56 ¥10.9158 查看 ¥10.8367 ¥10.17	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220FP-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	390 mOhms	20 V	2.1 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3 SP000216320 Infineon Technologies 1: ¥30.5213 无库存交货期 15 周 NRND	制造商零件编号 SP000216320 Mouser 零件编号 726-SP000216320 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3	数据表	无库存交货期 15 周	¥30.5213 ¥19.8541 ¥13.899 ¥11.6616 查看 ¥10.7576 ¥10.17	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	390 mOhms	20 V	2.1 V	85 nC	- 55 C	+ 150 C	34 W	Enhancement		Tube