SPA17N80C3 MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3
385预期 2027/4/15
¥49.381
¥32.3406
¥24.1481
¥20.1818
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.1 V 177 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3 410库存量
¥49.381
¥32.3406
¥24.1481
¥20.1818
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 177 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3 交货期 16 周
¥43.505
¥23.2441
¥21.1762
¥17.6958
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 177 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolMOS Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 850库存量
¥64.4326
¥34.7362
¥31.8434
¥28.9506
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh 1库存量
2,000预期 2026/11/28
¥74.9416
¥40.2845
¥37.3013
¥33.6627
¥33.5836
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube