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RoHS

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SPI08N80C3

图像仅供参考
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Mouser编号：

726-SPI08N80C3

制造商编号：

SPI08N80C3

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET N-Ch 800V 8A I2PAK-3 CoolMOS C3

寿命周期:

停产

数据表:

SPI08N80C3 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-262-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	8 A
Rds On-漏源导通电阻:	560 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	60 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	CoolMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	10 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
系列:	CoolMOS C3
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	72 ns
典型接通延迟时间:	25 ns
零件号别名:	SP000683148 SPI8N8C3XK SPI08N80C3XKSA1
单位重量:	2.387 g

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已选择的属性: 0

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数据表

SPI08N80C3 数据表 (PDF)

EOL

Product Discontinuation Notification (PDF)

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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