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RoHS

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SPP17N80C3 MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 SPP17N80C3 Infineon Technologies 1: ¥48.477 500预期 2027/2/18 NRND	制造商零件编号 SPP17N80C3 Mouser 零件编号 726-SPP17N80C3 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	500预期 2027/2/18	¥48.477 ¥25.4815 ¥20.2609 ¥18.4416	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	290 mOhms	20 V	2.1 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 SPP17N80C3XKSA1 Infineon Technologies 1: ¥48.5561 18库存量 500预期 2027/2/18 NRND	制造商零件编号 SPP17N80C3XKSA1 Mouser 零件编号 726-SPP17N80C3XKSA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	18库存量 500预期 2027/2/18	¥48.5561 ¥29.0297 ¥23.4927 ¥18.4416	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	290 mOhms	20 V	2.1 V	88 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-channel 800 V MDMesh STP18NM80 STMicroelectronics 1: ¥71.9584 557库存量	制造商零件编号 STP18NM80 Mouser 零件编号 511-STP18NM80	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 800 V MDMesh 了解更多关于STMicroelectronics stmicro mdmesh 的信息	数据表	557库存量	¥71.9584 ¥39.211 ¥35.9792 ¥33.5836	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	17 A	295 mOhms	30 V	3 V	70 nC	- 65 C	+ 150 C	190 W	Enhancement	MDmesh	Tube
	MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh STP11NM80 STMicroelectronics 1: ¥60.794 1,483库存量	制造商零件编号 STP11NM80 Mouser 零件编号 511-STP11NM80	STMicroelectronics	MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 了解更多关于STMicroelectronics stmicro mdmesh 的信息	数据表	1,483库存量	¥60.794 ¥32.5892 ¥29.8659 ¥26.8036	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	800 V	11 A	400 mOhms	30 V	3 V	43.6 nC	- 65 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	MDmesh	Tube