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现货

RoHS

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SPP18P06P H

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

726-SPP18P06PH

制造商编号：

SPP18P06P H

制造商：

Infineon Technologies

说明：

MOSFET P-Ch -60V -18.7A TO220-3

寿命周期:

停产

数据表:

SPP18P06P H 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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交货限制:

Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Infineon
产品种类:	MOSFET
交货限制:	Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-220-3
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	18.7 A
Rds On-漏源导通电阻:	130 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	81.1 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	SIPMOS
封装:	Tube
商标:	Infineon Technologies
配置:	Single
下降时间:	11 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	5.8 nS
系列:	SPP18P06
工厂包装数量:	500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	25 nS
零件号别名:	SP000446906 SPP18P6PHXK SPP18P06PHXKSA1
单位重量:	2 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

SPP18P06P H 数据表 (PDF)

EOL

Product Catalogs

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 奥地利
组装原产国/地区:: 马来西亚
扩散国家:: 奥地利

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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