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SPP80P06P-H MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3 SPP80P06P H Infineon Technologies 1: ¥35.0752 738库存量 1,000预期 2026/11/5	制造商零件编号 SPP80P06P H Mouser 零件编号 726-SPP80P06PH	Infineon Technologies	MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3	数据表	738库存量 1,000预期 2026/11/5	¥35.0752 ¥22.9955 ¥17.1195 ¥14.3058 查看 ¥13.2323 ¥12.5769	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	P-Channel	1 Channel	60 V	80 A	23 mOhms	20 V	2.1 V	115 nC	- 55 C	+ 175 C	340 W	Enhancement	SIPMOS	Tube
	MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3 SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies 1: ¥34.578 1,871库存量 2,500在途量	制造商零件编号 SPP80P06PHXKSA1 Mouser 零件编号 726-SPP80P06PHXKSA1	Infineon Technologies	MOSFET P-Ch -60V -80A TO220-3	数据表	1,871库存量 2,500在途量	¥34.578 ¥17.6167 ¥15.9669 ¥12.9837	最低： 1 倍数： 1 最大： 500			Si	Through Hole	TO-220-3	P-Channel	1 Channel	60 V	80 A	23 mOhms	20 V	2.1 V	115 nC	- 55 C	+ 175 C	340 W	Enhancement		Tube

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