SPW17N80C3 MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 166库存量
¥54.014
¥35.4029
¥26.0578
¥23.0746
¥20.5999
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 290 mOhms 20 V 2.1 V 88 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3 282库存量
¥55.0084
¥28.2839
¥23.9899
¥22.0011
¥21.6734
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 250 mOhms 20 V 2.1 V 117 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh 916库存量
¥56.0028
¥29.0297
¥26.6341
¥24.069
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 400 mOhms 30 V 3 V 43.6 nC - 65 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V MDMesh 386库存量
¥77.5858
¥48.8047
¥42.8496
¥36.0696
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 295 mOhms 30 V 3 V 70 nC - 65 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube