.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SPW35N60C3 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 2

已应用过滤器:

Rds On-漏源导通电阻

Qg-栅极电荷

重置所有

在结果中搜索

库存量

正常库存

在售

新产品

符合RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 SPW35N60C3 Infineon Technologies 1: ¥90.4113 116库存量 NRND	制造商零件编号 SPW35N60C3 Mouser 零件编号 726-SPW35N60C3 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	116库存量	¥90.4113 ¥63.8563 ¥53.2682 ¥47.3922 ¥44.2508	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	34.6 A	100 mOhms	20 V	2.1 V	150 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	CoolMOS	Tube
	MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies 1: ¥89.7446 170库存量 NRND	制造商零件编号 SPW35N60C3FKSA1 Mouser 零件编号 726-SPW35N60C3FKSA1 NRND	Infineon Technologies	MOSFET N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3 了解更多关于Infineon Technologies infineonCoolMOS 的信息	数据表	170库存量	¥89.7446 ¥48.8047 ¥45.1661 ¥44.9175	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-247-3	N-Channel	1 Channel	600 V	34.6 A	81 mOhms	20 V	2.1 V	200 nC	- 55 C	+ 150 C	313 W	Enhancement	CoolMOS	Tube

SPW35N60C3 MOSFET

已应用过滤器:

昴氏(上海)电子贸易有限公司

公司

资源

支持