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SQ7415AENW-T1_GE3

Name: Vishay SQ7415AENW-T1_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQ7415AENW-T1_GE3
Price: 14.79 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQ7415AENW-T1_GE3

制造商编号：

SQ7415AENW-T1_GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

SQ7415AENW-T1_GE3 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	16 A
Rds On-漏源导通电阻:	50 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	53 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	8 ns
正向跨导 - 最小值:	13 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	9 ns
系列:	SQ
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	37 ns
典型接通延迟时间:	9 ns
单位重量:	1 g

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已选择的属性: 0

筛选文档:

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥16.7127	¥16.71
	¥10.3395	¥103.40
	¥6.8026	¥680.26
	¥5.3449	¥2,672.45
	¥4.859	¥4,859.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥4.1358	¥12,407.40
	¥3.6725	¥22,035.00
	¥3.5482	¥31,933.80
	¥3.4352	¥82,444.80

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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说明： MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified

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