SQJQ466E-T1_GE3

Name: Vishay SQJQ466E-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQJQ466E-T1_GE3
Price: 29.72 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SQJQ466E-T1_GE3

制造商编号：

SQJQ466E-T1_GE3

制造商：

Vishay / Siliconix

说明：

MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

数据表:

SQJQ466E-T1_GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-8x8-4
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	200 A
Rds On-漏源导通电阻:	1.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	135 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay / Siliconix
配置:	Single
下降时间:	15 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	8 ns
系列:	SQJQ
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
典型关闭延迟时间:	47 ns
典型接通延迟时间:	24 ns
单位重量:	50 mg

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数据表

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Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SQJQ汽车用MOSFET

Vishay/Siliconix SQJQ汽车用MOSFET是N沟道TrenchFET^®功率MOSFET。这些MOSFET符合AEC-Q101标准，100%通过了Rg和无钳位电感开关 (UIS) 测试。SQJQ汽车用MOSFET具有非常低的R_DS(on)，工作温度范围为-55°C至+175°C。这些汽车级MOSFET采用全无铅PowerPAK^® 8x8L封装（单/双配置）。典型应用包括汽车、发动机管理、电机驱动器和执行器、车身系统和电池管理。

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库存量: 9,306

库存：: 9,306

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在途量:: 2,000

预期 2026/10/23
生产周期：: 23

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 2000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥33.5836	¥33.58
	¥17.0404	¥170.40
	¥15.4697	¥1,546.97
	¥12.8255	¥6,412.75
整卷卷轴（请按2000的倍数订购）
	¥12.1588	¥24,317.60

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SQJQ466E-T1_GE3

制造商： Vishay / Siliconix

说明： MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified

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