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SQR40020ER_GE3

Name: Vishay SQR40020ER_GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SQR40020ER_GE3
Price: 21.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SQR40020ER_GE3

制造商编号：

SQR40020ER_GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

数据表:

SQR40020ER_GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	40 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	4.7 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	84 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	107 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	18 ns
正向跨导 - 最小值:	84 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	17 ns
系列:	SQR
工厂包装数量:	2000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	34 ns
典型接通延迟时间:	17 ns
单位重量:	330 mg

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国台湾
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

TrenchFET第四代MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^®第四代MOSFET是新一代TrenchFET^®系列功率MOSFET，采用PowerPAK® SO-8和1212-8S封装，并具有业内超低的导通电阻和低栅极总电荷。TrenchFET第四代MOSFET具有超低R_DS(on)特性，因此进一步降低了导通损耗以及功耗。TrenchFET MOSFET还采用了节省空间的PowerPAK® 1212-8 封装，能以三分之一的尺寸实现相近的效率。典型应用包括大功率DC/DC转换器、同步整流器、太阳能微型逆变器以及电机驱动开关。