SSM3K15F MOSFET

结果: 2
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
商标名
封装
Toshiba SSM3K15F
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET LowON Res MOSFET ID=0.1A VDSS=30V
数据表
8,813库存量
6,000预期 2026/11/6
剪切带
¥1.9888
¥0.85993
¥0.75258
¥0.54579
卷轴
¥0.38872
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最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT SC-59-3 N-Channel 1 Channel 30 V 100 mA 4 Ohms 20 V 800 mV - 55 C + 150 C 200 mW Enhancement AEC-Q101 MOSVI Reel, Cut Tape, MouseReel