SSM3K56ACT MOSFET

结果: 2
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Toshiba SSM3K56ACT
Toshiba MOSFET N/A
Si
Toshiba MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
数据表
5,387库存量
120,000预期 2026/11/9
剪切带
¥4.9607
¥3.4578
¥2.1809
¥1.3786
卷轴
¥0.79439
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最低： 1
倍数： 1
: 10,000
Si SMD/SMT CST3-3 N-Channel 1 Channel 20 V 1.4 A 840 mOhms 8 V 400 mV 1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement U-MOSVII-H Reel, Cut Tape, MouseReel