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SSM6J216FE,LF

Name: Toshiba SSM6J216FE,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6J216FELF
Price: 5.27 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

757-SSM6J216FELF

制造商编号：

SSM6J216FE,LF

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

数据表:

SSM6J216FE,LF 数据表 (PDF)

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOT-563-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	4.8 A
Rds On-漏源导通电阻:	26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	8 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	12.7 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	700 mW
通道模式:	Enhancement
商标名:	U-MOSVI
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Toshiba
配置:	Single
正向跨导 - 最小值:	5 S
产品类型:	MOSFETs
系列:	SSM6J216FE
工厂包装数量:	4000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	145 ns
典型接通延迟时间:	32 ns
单位重量:	6 mg

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数据表

SSM6J216FE,LF 数据表 (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

合规代码

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 日本
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 2,044

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生产周期：: 12 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按4000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥5.9551	¥5.96
	¥2.7007	¥27.01
	¥2.3843	¥238.43
	¥1.808	¥904.00
整卷卷轴（请按4000的倍数订购）
	¥1.3334	¥5,333.60
	¥1.1639	¥9,311.20
	¥1.11644	¥26,794.56

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SSM6J216FE,LF

制造商： Toshiba

说明： MOSFET LowON Res MOSFET ID=--4.8A VDSS=-12V

规格

文件 (12)

数据表

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Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

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SSM6x N沟道和P沟道 MOSFET

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制造商：

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说明：

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