SSM6K389R,LF

Name: Toshiba SSM6K389R,LF
Brand: Toshiba
SKU: 757-SSM6K389RLF
Price: 3.15 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

757-SSM6K389RLF

制造商编号：

SSM6K389R,LF

制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Toshiba
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSOP-6F
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	60 V
Id-连续漏极电流:	2 A
Rds On-漏源导通电阻:	171 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.1 V
Qg-栅极电荷:	1.84 nC
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	3 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	Toshiba
配置:	Single
下降时间:	85 ns
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	264 ns
典型接通延迟时间:	26 ns

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Application Notes

Surface Mount Small Signal MOSFET Precautions For Use

Models

Product Catalogs

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 日本

发货时，国家/地区可能会发生变化。

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.

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库存量: 3,000

库存：: 3,000 可立即发货

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生产周期：: 16 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥3.5595	¥3.56
	¥1.5594	¥15.59
	¥1.3673	¥136.73
	¥1.017	¥508.50
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥0.75258	¥2,257.74
	¥0.64523	¥5,807.07
	¥0.57065	¥13,695.60

SSM6K389R,LF

制造商： Toshiba

说明： MOSFET N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

规格

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数据表

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U-MOSVII-H MOSFETs

特色产品 TOSHIBA

库存量: 3,000

定价 (含13% 增值税)

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制造商：

Toshiba

说明：

MOSFET N-ch MOSFET, 60 V, 2 A, 155 m at 10 V, UDFN6B

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TOSHIBA