SSM6L826R,LF

Toshiba
757-SSM6L826RLF
SSM6L826R,LF

制造商:

说明:
MOSFET N-ch + P-ch MOSFET, 30 V/-30 V, 4 A/-4 A, 0.046 at 4.5V/0.045 at 4.5V, TSOP6F

寿命周期:
新产品:
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产品属性 属性值 选择属性
Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TSOP-6F
N-Channel, P-Channel
1 Channel
30 V
4 A
73 mOhms
- 12 V, 20 V
2 V
6.2 nC
+ 150 C
1.8 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: Toshiba
配置: Dual
下降时间: 154 ns
产品类型: MOSFETs
上升时间: 40 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 106.5 ns
典型接通延迟时间: 50 ns
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已选择的属性: 0

合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时,国家/地区可能会发生变化。

N沟道/P沟道功率MOSFET

Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET是一款低漏极-源极MOSFET,有三种不同的封装(ES6、UDFN6和TSOP6F)。这些双通道MOSFET的漏极-源极电压为20V或30V(N沟道)和-20V或-30V(P沟道)。此系列Toshiba N沟道/P沟道功率MOSFET非常适合高速开关、电源管理开关、直流-直流转换器和电机驱动器。  

库存量: 2,349

库存:
2,349 可立即发货
生产周期:
16 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少: 1   倍数: 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥7.0286 ¥7.03
¥3.1979 ¥31.98
¥2.8137 ¥281.37
¥2.147 ¥1,073.50
¥2.1357 ¥2,135.70
整卷卷轴(请按3000的倍数订购)
¥1.6498 ¥4,949.40
¥1.4464 ¥13,017.60
¥1.3786 ¥33,086.40