SSM6N813R MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
Toshiba SSM6N813R
Toshiba MOSFET N/A
Si AEC-Q101 U-MOSVIII-H
Toshiba MOSFET AUTO AEC-Q SS MOS Dual N-ch Low drain-source on-resistance VDSS:100V ID:3.5A PD:1.5W TSOP6F 1,344库存量
6,000预期 2026/10/23
剪切带
¥10.2604
¥6.4297
¥4.2375
¥3.2883
卷轴
¥2.5312
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP6F N-Channel 2 Channel 100 V 3.5 A 88 mOhms 20 V 2.5 V 3.6 nC + 175 C 1.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET X34 Small Signal MOSFET Dual N-ch VDSS=100V, VGSS=+/-20V, RDS(@4.5V)=0.154Ohm, ID=3.5A 3,000库存量
剪切带
¥7.6953
¥3.5143
¥3.1075
¥2.3843
卷轴
¥1.8419
最低: 1
倍数: 1
: 3,000
Si SMD/SMT TSOP-6F N-Channel 2 Channel 100 V 3.5 A 112 mOhms 20 V 2.5 V 3.6 nC + 175 C 2.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel