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电子元器件
半导体
分立半导体
晶体管
MOSFET
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STF13N65M2 MOSFET
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分立半导体
晶体管
MOSFET
封装 / 箱体
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
Pd-功率耗散
商标名
封装
TO-220-3
TO-262-3
重置
10 A
12 A
≤
≥
重置
370 mOhms
380 mOhms
430 mOhms
≤
≥
重置
2 V
4 V
≤
≥
重置
17 nC
29 nC
≤
≥
重置
25 W
30 W
≤
≥
重置
MDmesh
重置
Tube
重置
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封装 / 箱体
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通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
STF13N65M2
STMicroelectronics
1:
¥22.7469
970
库存量
制造商零件编号
STF13N65M2
Mouser 零件编号
511-STF13N65M2
STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
了解更多
关于STMicroelectronics stmMDmeshII
的信息
数据表
970
库存量
1
¥22.7469
10
¥10.9158
100
¥8.8479
500
¥7.6727
1,000
查看
1,000
¥7.6049
2,000
¥7.3676
5,000
¥7.0851
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
370 mOhms
25 V
2 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MDmesh
Tube
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
STFI13N65M2
STMicroelectronics
1:
¥26.555
359
库存量
寿命结束
制造商零件编号
STFI13N65M2
Mouser 零件编号
511-STFI13N65M2
寿命结束
STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in I2PAKFP package
了解更多
关于STMicroelectronics stmMDmeshII
的信息
数据表
359
库存量
1
¥26.555
10
¥14.8934
100
¥10.7576
500
¥9.266
1,000
¥8.6897
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Si
Through Hole
TO-262-3
N-Channel
1 Channel
650 V
10 A
430 mOhms
25 V
4 V
17 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
STF11NM65N
STMicroelectronics
1:
¥28.6229
80
库存量
寿命结束
制造商零件编号
STF11NM65N
Mouser 零件编号
511-STF11NM65N
寿命结束
STMicroelectronics
MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
数据表
80
库存量
1
¥28.6229
10
¥16.1251
100
¥11.8311
500
¥10.6672
1,000
¥9.5146
购买
最低:
1
倍数:
1
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
650 V
12 A
380 mOhms
25 V
2 V
29 nC
- 55 C
+ 150 C
30 W
Enhancement
MDmesh
Tube
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