.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STF26N60M2 MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名	封装
	MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag STF26N60M2 STMicroelectronics 1: ¥31.9338 954库存量	制造商零件编号 STF26N60M2 Mouser 零件编号 511-STF26N60M2	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag 了解更多关于STMicroelectronics stmMDmeshII 的信息	数据表	954库存量	¥31.9338 ¥16.1251 ¥14.6448 ¥11.9102 查看 ¥11.8311 ¥11.413 ¥11.2548	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20 A	165 mOhms	25 V	2 V	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement	MDmesh	Tube
	MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a I2PAKFP package STFI26N60M2 STMicroelectronics 1: ¥30.3518 488库存量寿命结束	制造商零件编号 STFI26N60M2 Mouser 零件编号 511-STFI26N60M2 寿命结束	STMicroelectronics	MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a I2PAKFP package 了解更多关于STMicroelectronics stmMDmeshII 的信息	数据表	488库存量	¥30.3518 ¥15.5488 ¥14.2267	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-281-3	N-Channel	1 Channel	650 V	20 A	165 mOhms	25 V	2 V	- 55 C	+ 150 C	30 W	Enhancement

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