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STGP10NB60S 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp STGP10NB60S STMicroelectronics 1: ¥28.4534 2,266库存量	制造商零件编号 STGP10NB60S Mouser 零件编号 511-STGP10NB60S	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 Volt 10 Amp 了解更多关于STMicroelectronics stm stgxx igbt 的信息	数据表	2,266库存量	¥28.4534 ¥18.4416 ¥12.7351 ¥10.5881 查看 ¥9.8423 ¥9.266	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-220-3	Through Hole	Single	600 V	1.7 V	- 20 V, 20 V	20 A	80 W	- 55 C	+ 150 C	STGP10NB60S	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH STGP10NB60SD STMicroelectronics 1: ¥25.6397 754库存量寿命结束	制造商零件编号 STGP10NB60SD Mouser 零件编号 511-STGP10NB60SD 寿命结束	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH 了解更多关于STMicroelectronics stm stgxx igbt 的信息	数据表	754库存量	¥25.6397 ¥16.4641 ¥11.4921 ¥11.413	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-220-3	Through Hole	Single	600 V	1.35 V	- 20 V, 20 V	29 A	80 W	- 65 C	+ 150 C	STGP10NB60SD	Tube

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