STGW20H60DF 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 封装 / 箱体 安装风格 配置 集电极—发射极最大电压 VCEO 集电极—射极饱和电压 栅极/发射极最大电压 在25 C的连续集电极电流 Pd-功率耗散 最小工作温度 最大工作温度 系列 封装
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
1,199预期 2026/11/20
¥29.1992
¥18.9388
¥13.3227
¥11.1644
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) N Ch 35A 600V 462库存量
¥61.1217
¥40.8608
¥32.8378
¥29.1992
¥26.1369
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.25 V - 20 V, 20 V 70 A 200 W - 55 C + 150 C STGW35NB60SD Tube
STMicroelectronics 绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB series IGBT 96库存量
¥39.211
¥25.6397
¥19.1874
¥16.046
最低: 1
倍数: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 40 A 168 W - 55 C + 175 C STGW20H65FB Tube