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RoHS

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STGW30N90D 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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集电极—发射极最大电压 VCEO

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600v IGBT STGW30NC60KD STMicroelectronics 1: ¥77.3372 476库存量	制造商零件编号 STGW30NC60KD Mouser 零件编号 511-STGW30NC60KD	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 30A 600v IGBT 了解更多关于STMicroelectronics stm stgxx igbt 的信息	数据表	476库存量	¥77.3372 ¥45.3243 ¥38.2957 ¥37.3917	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	2.1 V	- 20 V, 20 V	60 A	200 W	- 55 C	+ 150 C	STGW30NC60KD	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH" IGBT STGW30NC60WD STMicroelectronics 1: ¥52.3642 927库存量	制造商零件编号 STGW30NC60WD Mouser 零件编号 511-STGW30NC60WD	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH&#34 IGBT 了解更多关于STMicroelectronics stm stgxx igbt 的信息	数据表	927库存量	¥52.3642 ¥29.7755 ¥24.7357 ¥22.2497	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	2.1 V	- 20 V, 20 V	60 A	200 W	- 55 C	+ 150 C	STGW30NC60WD	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CHANNEL IGBT STGW30NC120HD STMicroelectronics 1: ¥52.5224 2,395库存量	制造商零件编号 STGW30NC120HD Mouser 零件编号 511-STGW30NC120HD	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) N-CHANNEL IGBT	数据表	2,395库存量	¥52.5224 ¥29.7755 ¥24.8148 ¥23.0746 ¥22.3288	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	1.2 kV	2.75 V	- 25 V, 25 V	60 A	220 W	- 55 C	+ 150 C	STGW30NC120HD	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH STGW30NC60VD STMicroelectronics 1: ¥41.8552 1库存量寿命结束	制造商零件编号 STGW30NC60VD Mouser 零件编号 511-STGW30NC60VD 寿命结束	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) PowerMESH 了解更多关于STMicroelectronics stm stgxx igbt 的信息	数据表	1库存量	¥41.8552 ¥26.3064 ¥19.9332 ¥16.2946 查看 ¥15.2211 ¥14.9725	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	600 V	2.5 V	- 20 V, 20 V	80 A	250 W	- 55 C	+ 150 C	STGW30NC60VD	Tube