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STGW80H65DFB 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A STGW80H65DFB STMicroelectronics 1: ¥57.9803 3,029库存量	制造商零件编号 STGW80H65DFB Mouser 零件编号 511-STGW80H65DFB	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gte FieldStop IGBT 650V 80A 了解更多关于STMicroelectronics stm hb igbt 的信息	数据表	3,029库存量	¥57.9803 ¥38.7929 ¥31.188 ¥27.7076 ¥24.5662	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	120 A	469 W	- 55 C	+ 175 C	STGW80H65DFB	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT STGW80H65DFB-4 STMicroelectronics 1: ¥77.0095 221库存量	制造商零件编号 STGW80H65DFB-4 Mouser 零件编号 511-STGW80H65DFB-4	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 80 A high speed HB series IGBT	数据表	221库存量	¥77.0095 ¥54.2626 ¥43.9231 ¥36.5555 ¥34.9057	最低： 1 倍数： 1			Si		Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	120 A	470 W	- 55 C	+ 175 C	STGW80H65DFB-4	Tube

STGW80H65DFB 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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