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STGWA20H65DFB2 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l STGWA20H65DFB2 STMicroelectronics 1: ¥27.8771 532库存量	制造商零件编号 STGWA20H65DFB2 Mouser 零件编号 511-STGWA20H65DFB2	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l 了解更多关于STMicroelectronics stmicro stgwa20h65dfb2 igbt 的信息	数据表	532库存量	¥27.8771 ¥17.6167 ¥12.4865 ¥10.4186 ¥9.0965	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	40 A	147 W	- 55 C	+ 175 C		Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT STGWT20V60DF STMicroelectronics 1: ¥32.5892 600库存量寿命结束	制造商零件编号 STGWT20V60DF Mouser 零件编号 511-STGWT20V60DF 寿命结束	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT	数据表	600库存量	¥32.5892 ¥18.7806 ¥13.8086 ¥11.6616 查看 ¥11.5825 ¥11.3339	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-3P	Through Hole	Single	600 V	2.3 V	- 20 V, 20 V	40 A	167 W	- 55 C	+ 175 C	STGWT20V60DF	Tube

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