STGWA30M65DF2AG

Name: STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA30M65DF2AG
Price: 32.5 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-STGWA30M65DF2AG

制造商编号：

STGWA30M65DF2AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2.02 V
栅极/发射极最大电压:	20 V
在25 C的连续集电极电流:	87 A
Pd-功率耗散:	441 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
资格:	AEC-Q101
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极最大连续电流 Ic:	57 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	30
子类别:	Transistors
单位重量:	6.100 g

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数据表

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PCN

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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