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STGWA40H65DFB 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT STGWA40H65DFB STMicroelectronics 1: ¥32.6683 596预期 2026/11/27	制造商零件编号 STGWA40H65DFB Mouser 零件编号 511-STGWA40H65DFB	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT	数据表	596预期 2026/11/27	¥32.6683 ¥17.9444 ¥14.6448 ¥12.2379 ¥11.7407	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.6 V	- 20 V, 20 V	80 A	283 W	- 55 C	+ 175 C	STGWA40H65DFB	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long STGWA40H65DFB2 STMicroelectronics 1: ¥34.9057 686库存量 1,800在途量	制造商零件编号 STGWA40H65DFB2 Mouser 零件编号 511-STGWA40H65DFB2	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long 了解更多关于STMicroelectronics stm hb igbt 的信息	数据表	686库存量 1,800在途量订单发货日期制造商编号： STGWA40H65DFB2 库存： 686 可立即发货在途量: 600 预期 2027/1/1 1,200 预期 2027/4/23 生产周期： 22 周	¥34.9057 ¥22.826 ¥17.0404 ¥14.3058 ¥12.4865	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.55 V	- 20 V, 20 V	72 A	230 W	- 55 C	+ 175 C		Tube

STGWA40H65DFB 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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