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STGWA50M65DF2 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	资格	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads STGWA50M65DF2 STMicroelectronics 1: ¥50.1268 600预期 2027/1/8	制造商零件编号 STGWA50M65DF2 Mouser 零件编号 511-STGWA50M65DF2	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT in a TO-247 long leads 了解更多关于STMicroelectronics stm 650v m igbts 的信息	数据表	600预期 2027/1/8	¥50.1268 ¥28.2048 ¥23.4136 ¥19.8541 ¥19.3569	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	80 A	375 W	- 55 C	+ 175 C	HB2		Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT STGWA50M65DF2AG STMicroelectronics 1: ¥58.5679 14库存量	制造商零件编号 STGWA50M65DF2AG Mouser 零件编号 511-STGWA50M65DF2AG	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 50 A low-loss M series IGBT 了解更多关于STMicroelectronics stm 650v m igbts 的信息	数据表	14库存量	¥58.5679 ¥39.211 ¥31.5157 ¥27.9562 ¥24.8148	最低： 1 倍数： 1									- 20 V, 20 V					HB2	AEC-Q100	Tube

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