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STGYA120M65DF2 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	系列	资格	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss STGYA120M65DF2 STMicroelectronics 1: ¥95.9483 361库存量	制造商零件编号 STGYA120M65DF2 Mouser 零件编号 511-STGYA120M65DF2	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss 了解更多关于STMicroelectronics stm 650v m igbts 的信息	数据表	361库存量	¥95.9483 ¥69.3933 ¥57.8221 ¥51.2794 ¥48.7143	最低： 1 倍数： 1			Si	Max247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	160 A	625 W	- 55 C	+ 175 C	STGYA120M65DF2		Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in STGYA120M65DF2AG STMicroelectronics 1: ¥86.4337 495库存量	制造商零件编号 STGYA120M65DF2AG Mouser 零件编号 511-STGYA120M65DF2AG	STMicroelectronics	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss in	数据表	495库存量	¥86.4337 ¥59.0538 ¥48.7143 ¥43.4259 ¥40.6122	最低： 1 倍数： 1			Si	Max247-3	Through Hole	Single	650 V	1.65 V	- 20 V, 20 V	160 A	625 W	- 55 C	+ 175 C	STGYA120M65DF2AG	AEC-Q101	Tube

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