STP260N6F6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 60V 0.0016 Ohm 180A DeepGATE VI
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 75 V 120 A 2.4 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement STripFET Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 60 V 00024 ASTripFET Pwr MOSFE 1,370库存量
¥50.8726
¥33.335
¥24.5662
¥21.8316
¥19.5264
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole TO-281-3 N-Channel 1 Channel 60 V 80 A 3 mOhms 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 175 C 41.7 W Enhancement STripFET Tube