STW68N65DM6 MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格 商标名 封装
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 51 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 无库存交货期 18 周
¥53.0196
最低: 600
倍数: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 48 A 59 mOhms 25 V 4.75 V 80 nC - 55 C + 150 C 330 W Enhancement MDmesh Tube


STMicroelectronics MOSFET Automotive-grade N-channel 650 V, 33 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in 7库存量
¥117.8703
¥69.3933
¥64.523
¥60.3872
最低: 1
倍数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 72 A 39 mOhms 25 V 4.75 V 118 nC - 55 C + 150 C 480 W Enhancement AEC-Q101 MDmesh Tube